對于計算機熟悉的朋友，可能對于"CPU"這個縮寫一點都不會陌生，無論是我們身邊的哪寫家用電器，這都是能進行控制的中心部件，是決定這些電子設備性能的重要因素。對于新能源成型來說，他們的CPU也就是——"IGBT"技術。IGBT是系能源汽車為關鍵的核心，曾經也是國內制造的"瓶頸"。

Play首先我們當然要先搞清楚IGBT是什么：IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)全稱"絕緣柵雙極型晶體管"，其芯片與動力電池電芯并稱為電動車的"雙芯"，是影響性能的關鍵技術，其成本占整車成本的5%左右。對于而言，IGBT直接控制驅動系統直、交流電的轉換，決定了車輛的扭矩和最大輸出等。

此外，作為主流的新型電力電子器件之一，IGBT在軌道交通、智能電網、特種航天、、新能源裝備，以及工業領域等應用極廣，也同樣是這些應用中的核心技術。

IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路，可以理解為一個"非通即斷"的開關。IGBT是能源變換與傳輸的核心器件。采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質量，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵技術。

IGBT在領域的應用面臨許多挑戰，包括更長的使用壽命、適應復雜的使用工況（氣溫、路況、頻繁啟停等），以及為了適應消費者需求，價格必須保持在合理區間等等。目前，是中國唯一一家擁有完整產業鏈的車企，包含IGBT芯片設計和制造，模組設計和制造，大器件測試應用平臺，電源及電控等。

為了突破IGBT的技術瓶頸，都有哪些開發難點呢？

第一，該項技術對芯片要求較高。IGBT芯片僅有人的指甲大小，但卻要在其上蝕刻十幾萬乃至幾十萬的微觀結構電路，僅能在顯微鏡下查看；它雖然是雖然是一個開關器件，但涉及到的參數多達十幾個，很多參數之間相互矛盾，需要根據應用折衷考慮。

同時，晶圓制造工藝難度大：最主要體現在薄片加工處理上。采用最新的1200VFS技術的IGBT，需要將晶圓減薄到120微米的厚度，再經過10余道工序進行加工。而且晶圓制造過程需要極高的潔凈度，車間廠房內需要一級凈化，其中之一標準為在1個立方英

隨著的性能不斷提升，對半導體組件也提出了更高的要求。為了更好的應對IGBT供不應求的狀況，尋求更低芯片損耗、更強電流輸出能力、更耐高溫的全新半導體材料也逐漸成為行業內關注的焦點。尺的空間內，超過0.5微米的顆粒不超過1顆。

第二，IGBT模塊設計的難度較大，需要考慮材料匹配、散熱、結構、功率密度、外觀、重量等多項指標。在模塊的制造中，大面積芯片的無空洞焊接、高可靠性綁線工藝和測試等都是難點。

隨著的性能不斷提升，對半導體組件也提出了更高的要求。為了更好的應對IGBT供不應求的狀況，尋求更低芯片損耗、更強電流輸出能力、更耐高溫的全新半導體材料也逐漸成為行業內關注的焦點。

在國內，比亞迪在電動車領域已經走在了行業前沿，從2015到2017年這數年間，比亞迪電動車的銷量已經連續三年位居全球第一，這是其他品牌無法比擬的。之所以會有此成就，這與比亞迪在IGBT等核心技術領域的布局密不可分。比亞迪通過此次發布IGBT4.0，打破了國內電動車制造的瓶頸，對未來電動車的發展將大有裨益。