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用碳納米管取代硅是芯片的技術(shù)新突破嗎?

鉅大LARGE  |  點擊量:2784次  |  2018年07月01日  

拜偉大的摩爾定律所賜,幾十年來微芯片技術(shù)一次又一次地突破了工藝極限,現(xiàn)在英特爾的第三代Corei系列處理器已經(jīng)用上了22納米工藝,英特爾還認為到2020年這個數(shù)字還可以縮小到5納米。但是到那時,硅基芯片的物理極限就很可能成為不可逾越的障礙。因此,人們的唯一出路就是使用另一種技術(shù)來制造處理器。人們也一直在努力尋找能夠替代當前硅芯片的物質(zhì),碳納米管(CNT)就是主要的研究方向之一,而現(xiàn)在,IBM的研究人員現(xiàn)在已經(jīng)將碳納米管芯片技術(shù)向前推進了一大步。

碳納米管是一種非常小的管狀六邊形結(jié)構(gòu)碳原子。IBM日前宣布,他們的一個八人研究團隊已經(jīng)找到一種能夠準確地將它們放在電腦芯片上的方法。這種方法能比以前的方法排列的碳納米管要密集100倍,是減少芯片制造成本最關(guān)鍵的一步,而且IBM已經(jīng)制造出一塊用1萬個碳納米管晶體管的芯片。

一旦現(xiàn)在的硅晶體管技術(shù)發(fā)展到了盡頭之后,這項新的技術(shù)有望幫助碳納米管成為硅的替代品。現(xiàn)在的芯片是由一個個極小的電子開關(guān),即晶體管組成的,而碳納米管則會替代在這些晶體管里輸送電流的硅通道。

IBM的技術(shù)可以在兩個電觸頭之間排列單個或一對碳納米管。碳納米管連接兩端的源極和漏極,是制造晶體管最基本的部分。

IBM的技術(shù)可以在兩個電觸頭之間排列單個或一對碳納米管。碳納米管連接兩端的源極和漏極,是制造晶體管最基本的部分。

碳納米管具有硅的半導體特性,而這種特性是它成為芯片晶體管的關(guān)鍵。當接通電流時它們有極好的傳輸電子的能力。但是芯片制造者必須找出一種可以大規(guī)模的非常精確地排列碳納米管的方法,這樣的電腦芯片才有可能走向?qū)嵱秒A段。

IBM日前在《自然納米技術(shù)》發(fā)布的研究報告稱,結(jié)合化學方法,他們可以將單個的碳納米管放置在他們想要放的特殊的溝道里。而且在構(gòu)造碳納米管場效應裝置(CNTFET)時,能夠達到每平方厘米10億個納米管的密度。

IBM研究者檢查有碳納米管的芯片晶片。晶圓的表面有兩種物質(zhì),分別是二氧化硅和二氧化鉿,二氧化鉿形成的溝道能夠吸引碳納米管附著,而二氧化硅則不能。

IBM研究者檢查有碳納米管的芯片晶片。晶圓的表面有兩種物質(zhì),分別是二氧化硅和二氧化鉿,二氧化鉿形成的溝道能夠吸引碳納米管附著,而二氧化硅則不能。

“這種能精確整齊地放置單個納米管的能力使制造出大量單-CNT晶體管成為可能。”論文中的研究者提到,“使用這種放置方法,我們制造出了CNTFET陣列,并且在一個芯片上放置了一萬多個碳納米管。”

整個制造過程需要用到多種技術(shù)。第一步是準備晶圓(wafer)。晶圓是生產(chǎn)集成電路用的載體,此過程與現(xiàn)在的傳統(tǒng)微處理器所使用的相同。在其上表面涂有兩層物質(zhì),第一層是二氧化鉿,在這上面再涂一層特殊的二氧化硅,使得二氧化鉿能夠有一部分暴露在外面,這個部分就是要與碳納米管結(jié)合的溝道。然后在二氧化鉿上涂上一層非常薄的化學材料NMPI。

下一步是準備碳納米管。它們被包裹在一種類似肥皂的表面活性劑(十二烷基硫酸鈉)里,將它們?nèi)茉谒校缓髮⒕A浸入溶液中。

表面活性劑和NMPI產(chǎn)生互相吸引的化學反應,使碳納米管結(jié)合到二氧化鉿的溝道里。IBM的這個方法可以用來整齊的將納米管放入狹窄的溝道網(wǎng)格里。

IBM還建造了一個與碳納米管連接的分離裝置,這樣它們的性能就可以被測量出來了。

圖中的黑線就是被置入進溝道的碳納米管,可以看見不是每個納米管的位置都很精準。放置的越準確,碳納米管被用作電腦芯片的半導體器件的可能性越大。

圖中的黑線就是被置入進溝道的碳納米管,可以看見不是每個納米管的位置都很精準。放置的越準確,碳納米管被用作電腦芯片的半導體器件的可能性越大。

雖然碳晶體管的前景非常光明,但是也只是計算領(lǐng)域“后硅時代”的候選者之一。其它的選擇還有:與碳納米管很相近的石墨烯;把硅換成其它元素如銦,砷和鎵;硅光子,用光來代替電子來傳送信息;自旋電子;另外還有一些更科幻的可能,比如DNA計算和量子計算。而IBM并沒有保證這項技術(shù)將在商業(yè)上可行,但是他們的論文中已經(jīng)對此表示了樂觀的態(tài)度,更重要的是,這個過程可以與目前的芯片制造技術(shù)的發(fā)展相結(jié)合。

“這種新的置入技術(shù)實施起來不難,只需要一些普通的化學材料和處理過程,而且為將來的CNTFET的實驗性研究提供了一個平臺。”論文中提到。“此外,這些結(jié)果顯示,這種通過化學手段使其自組裝的CNT置入方法,對于發(fā)展可行的CNT邏輯電路技術(shù)是很有希望的,并且可與現(xiàn)存的半導體制造技術(shù)相結(jié)合。”

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