從各研究機構(gòu)研究的成果可以看出，環(huán)境溫度和負載率對可靠性的影響很大，這兩個方面對開關(guān)電源由于有很大的影響，所以下面將從這兩個方面分析如何設計出高可靠的開關(guān)電源。其中，pD為使用功率；pR為額定功率。UD為使用電壓；UR為額定電壓。

1）環(huán)境溫度對元器件的影響

表1～表3分別列出環(huán)境溫度對半導體器件、電容器和電阻器可靠性的影響。表1和表13以pD/pR＝0.5使用負載設計，而表12則以UD/UR＝0.65使用負載設計。

表1環(huán)境溫度對半導體器件可靠性的影響

由表1可知，當環(huán)境溫度Ta從20℃新增到80℃時，半導體器件的失效率增大到30倍。

由表2可知，當環(huán)境溫度Ta從20°C新增到80°C時，電容器的失效率增大到14倍。

表2環(huán)境溫度對電容器可靠性的影響

從表3可知，當環(huán)境溫度Ta從20℃新增到80℃時，電阻器的失效率增大到4倍。

表3環(huán)境溫度對電阻器可靠性的影晌

2）負載率對元器件的影響

表4和表5分別列出了負載率對半導體器件、電阻可靠性的影響。

由表4可知，當pD/pR＝0.8時，半導體器件的失效率是pD/pR＝0.2時的1000倍。

表4負載率對半導體器件、電阻可靠性的影響（環(huán)境溫度50°C）

從表5可知，當pD/pR＝0.8時，電阻器的失效率是pD/pR＝0.2時的8倍。

表5負載率對電阻器可靠性的影響