目前，隨著便攜式電子產品的正向輕量化、超小型化，鋰離子電池得到了廣泛應用，比較常見的正極材料為鈷酸鋰和錳酸鋰的鋰離子電池，還有磷酸鐵鋰離子電池和磷酸鐵錳電池等。鋰離子電池以其能量高、壽命長、無記憶性、無污染等特點在電池行業名列前茅。但是鋰離子電池和其他很多類型的電池相同也很容易出現過充電、過放電等現象，這些情況對鋰離子電池更容易造成損害，從而縮短使用壽命。所以要求鋰離子電池充電應具有一級保護功能。

國內目前還出現這種電池保護的核心技術，本文設計了一種鋰離子電池充電保護電路，此保護電路的電壓、電流源基于耗盡型工藝設計，便于實現低功耗。另外此保護電路的供電電壓來源于電池電壓，所以要求此保護芯片在電池電壓變化范圍（1~8V）內正常工作。本文設計的保護電路以低功耗、高精度、高能量密度、高內阻、高安全性等特性脫穎而出，因此這種鋰離子電池保護電路的應用得到了普及。

1系統結構的設計

此芯片是單節電池的保護電路并且過電壓、過電流的檢測延遲時間是可改變的，其系統設計框圖如圖1所示，芯片設計VDD、VSS、Dp、CO、DO、VM6個引腳。通常情況下，即電池沒發生過充電、過放電事件時，CO、DO都為高電平，Dp端子懸空，圖1中右半部分的6個MOSFET是耐高壓管。

工作原理是通過監視連接在VDD和VSS之間的電池電壓及VM和VSS之間的電壓差控制充電器的充電和放電。

1.1通常狀態的設計

如圖1所示，通常狀態下，即電池電壓在過放電檢測電壓（VDL）以上且在過充電檢測電壓（VCU）以下，VM端子的電壓在充電器檢測電壓（VCHA）以上且在過電流1檢測電壓以下的情況下，設計振蕩器模塊不工作，充電控制用MOSFET和放電控制用MOSFET的兩方均打開。這時可以進行自由的充電和放電。

1.2過電壓檢測的設計

當電池出現過充電時，過充比較器跳變，過充電檢測電壓VCU從H變成L,經過過充電檢測延遲時間后，禁止電池充電。同時，電路的輸出TCU為H,經過一個反饋電路使過充電比較器的輸入電壓升高，所以電池電壓必須下降更多才能使比較器輸出變為H.這就實現了過充電滯后電壓的設計過程。

當電池過放電時，過放電檢測電壓VDL從H變為L,經過時間TDL后，禁止電池放電。此時，通過0V充電禁止模塊使VM升高，從而五個比較器的使能端SD跳變為無效狀態，此時電路中的五個比較器都不工作，而且振蕩器也不工作，電路進入休眠狀態。當VM降低使SD再次發生改變時，電路解除休眠狀態。休眠狀態的電流不能超過100nA。

1.3過電流檢測的設計

當VM端子電壓大于過電流1檢測電壓，并且這個狀態在過電流1檢測延遲時間以上時，關閉放電用的FET從而停止放電。

當VM端子電壓大于過電流2檢測電壓，并且這個狀態在過電流2檢測延遲時間以上時，關閉放電用的FET從而停止放電。

通過不同環形振蕩器的振蕩頻率，調整過電流的檢測延遲時間的長短，可及時停止放電。

2關鍵電路的實現

本文從低功耗、低成本、寬工作電壓范圍等考慮，提出基于耗盡型工藝的獨特設計方法。

基準電壓源電路、過充過放遲滯電路、0V充電禁止電路、振蕩器電路在整個芯片中起到關鍵的用途。其中多處的基準電壓源電路分別為各比較器供應合適的參考電壓和為振蕩器供應合適的起振電壓，并且使比較器和振蕩器工作在弱反型區。此處不對各基準電壓源的具體數值單獨分析，只對其原理作詳細的分析。

2.1基準電壓源電路

傳統基準電壓源電路由帶隙基準電路、帶隙基準啟動電路、比較器電路和電阻分壓網絡組成。

但本文的電源電壓有時工作在2V,此時傳統的帶隙基準電路由于電源電壓太低而無法工作在正常的區域；整個片子要求的功耗非常小，若采用傳統的帶隙基準電路功耗會過大。本文提出了更加有效的辦法，用耗盡型工藝取代了原始的BiCMOS工藝。

電路如圖2所示，M84為耗盡型管子，其閾值電壓是可調的。在版圖設計中M84單獨設計在一個隔離層中，防止其他器件的干擾。

該電路是具有負反饋功能的基準電路，出現基準電壓Vbd、Vb1、Vb2.因為電源在非正常情況下波動范圍很大，所以電容C的用途是使電路對電源波動太大時不敏感；SD是電路工作的使能端，低電平有效；R22、R21、R25構成負反饋網絡，R23、R24構成分壓電路。

當耗盡型MOS管M84工作在線性區時，由于VGS84=0,則M84為一個電阻，M81和M82將處于飽和區工作，輸出電壓可以負反饋回來從而穩定輸出。

其推導公式為：

當耗盡型MOS管M84工作在飽和區時，VGS84=0,M84為一個恒流源，所以VGS82恒定，即Vbd不變，從而輸出Vb1、Vb2也保持不變。其中Vbd、Vb1、Vb2分別為過充電、過放電比較器供應基準電壓，并且為延時出現電路供應偏置電壓。其推導公式為：

要使式（7）等于式（10）,即無論M84工作在什么區域VGS82都不變，則：

所以可以通過調節M84和M82的寬長比（W/L）使之滿足式（11）,使VGS82保持恒定；通過調小管子的閾值電壓（調節管子的摻雜濃度）來減小基準電壓源的電流從而減小功耗。采用0.6μm、n阱的CMOS工藝在Hspice中仿真的結果如圖3所示。

2.2過充電、過放電遲滯電路

為了更快地解除過充電、過放電狀態，圖1中過充電、過放電比較器的輸入差分電壓須隨電源電壓的改變而改變，當電池過充或過放時，輸出電壓隨電源電壓變化的比例不同，因此設計出圖4所示的遲滯電路。

由圖4可知，通過控制TCU和TDL的開關來控制MN1和Mp1的導通與關斷，達到調節點IN_CON和IN_ODp電壓大小的目的，以實現遲滯效應。當輸出信號在和過充比較器和過放比較器相比較時，比較基準電壓不變，計算過充電、過放電的遲滯電壓分別為：

由式（12）和（13）可知，根據具體設計要求的不同，調節R26、R27、R28、R29、R30和R31的大小及比例關系以達到實現不同遲滯電壓的目的。

2.30V電池充電禁止電路

當電池電壓低于一定值時，使CO輸出為低電平從而禁止充電器對電池進行充電。在此過程中因為VDD比較低VM會變得很負，所以VDD和VM之間易形成很大的電流，則VDD到VM之間的每一條支路上要有比較大的電阻。采用如圖5所示的電路來控制CO的電壓和VDD到VM之間的電流。

圖5中M1、M2、M3、M4、Rl和R2組成的電路完成電平轉換功能，抑制功能重要由M5、M6和R3完成，M7、M8、M9、M10和R4組成的與非門在電平轉換功能和0V抑制功能之間進行選擇。電路要將邏輯低電平轉化為與VM相同的電位。而VM的電位有可能很負，在電路轉換瞬間，VDD和VM之間的高電壓很容易將普通的MOS管擊穿，基于此，本電路的所有管子都采用高壓非對稱管。

0V電池抑制功能發生在充電過程中，此時，IN_LCB=0,IN_LC=1,VA為高電平。當電池電壓VDD在1.2V左右時，就認為它是內部短路。在這種情況下充電，充電電流一定很大，導致VM的電位下降很大，VDD的下降使M5關閉，VM的下降使M6導通，從而VB由低電平轉化為高電平（此時的VDD電壓為0V電池充電禁止電壓V0INH）,CO電位因此接近VM電位。

模擬結果如圖6顯示，在VDD降到1V以下時，CO端輸出與VM相同的電平，關斷充電回路，實現0V電池充電禁止功能。

3芯片的測試結果

采用0.6μm、n阱的CMOS工藝，芯片的電特性參數測試結果如表1所示。其中T表示溫度，在沒有特殊說明的情況下均為T=25℃。表1表明所設計的芯片滿足寬的電壓工作范圍、寬的溫度工作范圍和低功耗的特點。

表1CMOS芯片的電特性

4結語

本文介紹了單節鋰離子電池的充電保護芯片的功能原理，詳細分析了基于耗盡型工藝的關鍵電路設計原理，重點分析了基于耗盡型工藝的低功耗基準電壓源的設計，測試結果顯示所設計的芯片滿足低功耗、低成本、寬工作電壓范圍的要求，可用于便攜式電子產品和醫療測試儀器的鋰離子電池的一級保護。