鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量：956次 | 2020年03月18日
高集成度單芯片鋰離子電池保護(hù)解決方法
目前鋰離子電池的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，從手機(jī)、Mp3、Mp4、GpS、玩具等便攜式設(shè)備到要持續(xù)保存數(shù)據(jù)的煤氣表，其市場(chǎng)容量已經(jīng)達(dá)到每月幾億只。為了防止鋰離子電池在過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等異常狀態(tài)影響電池壽命，通常要通過(guò)鋰離子電池保護(hù)裝置來(lái)防止異常狀態(tài)對(duì)電池的損壞。
鋰離子電池保護(hù)裝置的電路原理如圖1所示，重要是由電池保護(hù)控制IC和外接放電開(kāi)關(guān)M1以及充電開(kāi)關(guān)M2來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)p+/p-端連接充電器，給電池正常充電時(shí)，M1，M2均處于導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng)控制IC檢測(cè)到充電異常時(shí)，將M2關(guān)斷終止充電。當(dāng)p+/p-端連接負(fù)載，電池正常放電時(shí)，M1，M2均導(dǎo)通；當(dāng)控制IC檢測(cè)到放電異常時(shí)，將M1關(guān)斷終止放電。
幾種現(xiàn)有的鋰離子電池保護(hù)方法
圖2是基于上述鋰離子電池保護(hù)原理所設(shè)計(jì)的一種常用的鋰離子電池保護(hù)板。圖中的SOT23-6L封裝的是控制IC，SOp8封裝的是雙開(kāi)關(guān)管M1，M2。由于制造控制IC的工藝與制造開(kāi)關(guān)管的工藝各不相同，因此圖2中兩個(gè)芯片是從不同的工藝流程中制造出來(lái)的，通常這兩種芯片也是由不同的芯片廠商供應(yīng)。
近幾年來(lái)，業(yè)界出現(xiàn)了將幾個(gè)芯片封裝在一起以提高集成度、縮小最后方法面積的趨勢(shì)。鋰離子電池保護(hù)市場(chǎng)也不例外。圖3中的兩種鋰離子電池保護(hù)方法A及B看起來(lái)是將圖2中的兩個(gè)芯片集成于一個(gè)芯片中，但實(shí)際上其封裝內(nèi)部控制器IC及開(kāi)關(guān)管芯片仍是分開(kāi)的，來(lái)自不同的廠商，該方法僅僅是將二者合封在一起，俗稱(chēng)“二芯合一”。
由于內(nèi)部?jī)蓚€(gè)芯片實(shí)際仍來(lái)自于不同廠商，外形不能很好匹配，因此導(dǎo)致最終封裝形狀各異，很多情況下不能采用通用封裝。這種封裝體積比較大，又不能節(jié)省外圍元件，所以這種“二芯合一”的方法實(shí)際上并省不了太多空間。在成本方面，雖然兩個(gè)封裝的成本縮減成一個(gè)封裝的成本，但由于這個(gè)封裝通常比較大，有的不是通用封裝，有的為了縮小封裝尺寸，要用芯片疊加的封裝形式，因此與傳統(tǒng)的兩個(gè)芯片的方法相比，其成本優(yōu)勢(shì)并不明顯。
圖4是一種真正的將控制器芯片及開(kāi)關(guān)管芯片集成在同一晶圓的單芯片方法。傳統(tǒng)方法原理圖1中的開(kāi)關(guān)管是N型管，接在圖1中的B-與p-之間，俗稱(chēng)負(fù)極保護(hù)。圖4中的方法由于技術(shù)原因，開(kāi)關(guān)管只能改為p型管，接在B+與p+之間，俗稱(chēng)正極保護(hù)。用此芯片完成保護(hù)板方法后，在檢測(cè)保護(hù)板時(shí)用戶(hù)要更換測(cè)試設(shè)備及理念。此方法雖然減少了一定的封裝成本，但芯片成本并沒(méi)有得到減少，在與量大成熟的傳統(tǒng)方法競(jìng)爭(zhēng)時(shí)也沒(méi)有真正的成本優(yōu)勢(shì)。相反其與傳統(tǒng)方法不相容的正極保護(hù)理念成了其推廣過(guò)程的巨大障礙。
上面的“二芯合一”方法及單芯片正極保護(hù)方法雖然在方法面積及成本上給用戶(hù)帶來(lái)了一定的優(yōu)勢(shì)，但優(yōu)勢(shì)仍不明顯。這些方法同時(shí)又帶來(lái)了一些弊端，因此在與成熟的傳統(tǒng)方法競(jìng)爭(zhēng)客戶(hù)的過(guò)程中，最終還是只能以降低毛利空間來(lái)打價(jià)格戰(zhàn)。由于這些方法的真正原始成本并沒(méi)有明顯的優(yōu)勢(shì)，所以隨著傳統(tǒng)方法的控制IC及開(kāi)關(guān)管芯片的降價(jià)，這些“二芯合一”的方法或正極保護(hù)方法并沒(méi)有能夠撼動(dòng)傳統(tǒng)方法的市場(chǎng)統(tǒng)治地位。
近年來(lái)市面上出現(xiàn)了眾多新創(chuàng)的開(kāi)關(guān)管芯片廠商，為了降低成本，封裝時(shí)原本打金線(xiàn)改成打銅線(xiàn)，開(kāi)關(guān)管也不帶ESD保護(hù)。這些產(chǎn)品雖然在性能上與品牌開(kāi)關(guān)管相比有一定的差異，但因?yàn)槌杀緝?yōu)勢(shì)很快搶占了二級(jí)市場(chǎng)，也為傳統(tǒng)方法在與“二芯合一”及正極保護(hù)方法在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中的勝出作出了巨大貢獻(xiàn)。
全集成鋰離子電池保護(hù)方法
賽芯微電子通過(guò)自主研發(fā)的多項(xiàng)器件及電路專(zhuān)利結(jié)合獨(dú)特的工藝技術(shù)，將控制IC與開(kāi)關(guān)管集成于同一芯片，推出世界最小的鋰離子電池保護(hù)方法XB430X系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品采用傳統(tǒng)的N型開(kāi)關(guān)管，與傳統(tǒng)方法的負(fù)極保護(hù)原理一致，保護(hù)板廠商或電池廠商無(wú)需更換任何測(cè)試設(shè)備或理念。該系列芯片本身就是一個(gè)完整的鋰離子電池保護(hù)方法，無(wú)需外接任何元器件即可實(shí)現(xiàn)鋰離子電池保護(hù)的功能。為了防止Vcc線(xiàn)上的噪聲，建議在使用XB430X系列芯片時(shí)在VCC和電池負(fù)端之間外接一個(gè)電容，如圖5所示。
XB430X系列芯片集成度非常高，不僅將傳統(tǒng)的控制IC和開(kāi)關(guān)管集成，而且將原理圖1中R1、R2也集成到同一芯片。集成后的芯片非常小，最小的可以采用市面上通用的SOT23-5L封裝。該芯片系列開(kāi)關(guān)管內(nèi)阻極低，最小內(nèi)阻可達(dá)40m?以下，與市面上最好的開(kāi)關(guān)管內(nèi)阻相當(dāng)。當(dāng)采用最小封裝SOT23-5L時(shí)，持續(xù)充電和放電電流可達(dá)2.5安培，而不會(huì)有散熱問(wèn)題。若持續(xù)充放電電流大于2.5安培，建議使用XB430X系列中的SOp8封裝產(chǎn)品。
XB430X具有傳統(tǒng)保護(hù)方法中的所有保護(hù)功能：過(guò)充保護(hù)、過(guò)放保護(hù)、過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)。不僅如此，由于控制IC與開(kāi)關(guān)管集成于同一芯片，控制IC可隨時(shí)檢測(cè)開(kāi)關(guān)管芯片溫度。當(dāng)電池因長(zhǎng)期在高溫環(huán)境下使用，或充放電時(shí)電流超過(guò)正常充放電電流，卻又沒(méi)有達(dá)到過(guò)流保護(hù)閾值等原因而致使芯片溫度過(guò)高時(shí)，會(huì)啟動(dòng)過(guò)溫保護(hù)功能，以保護(hù)芯片及電池。另外，內(nèi)置開(kāi)關(guān)管帶有ESD保護(hù)功能，可大幅提高保護(hù)板和電池在加工過(guò)程中的良率。
XB430X內(nèi)部控制IC及開(kāi)關(guān)管來(lái)自于同一個(gè)生產(chǎn)工藝，同一個(gè)廠商，封裝選用最成熟通用的封裝形式，因而一致性能比傳統(tǒng)方法、“二芯合一”方法、正極保護(hù)方法都要高很多。
采用XB4301系列芯片，完成最終電池保護(hù)方法只需兩個(gè)元器件(如圖5所示)，與傳統(tǒng)方法的5個(gè)元器件相比，每臺(tái)貼片機(jī)的產(chǎn)量和效率可以提高到原來(lái)的2.5倍。與傳統(tǒng)的方法相比，保護(hù)板廠商不僅不要購(gòu)買(mǎi)電阻及開(kāi)關(guān)管芯片，精簡(jiǎn)了資源鏈，而且在制作保護(hù)板時(shí)減少兩個(gè)電阻的焊盤(pán)以及開(kāi)關(guān)管的8個(gè)焊點(diǎn)，從而大大降低了保護(hù)板的制作成本。
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