新一代UltraCMOSpE45361是分立式pIN結(jié)二極管功率限幅器的單片替代品，可提供可靠且可重復(fù)的接收機(jī)保護(hù)

RFSOI（射頻絕緣體上硅）的發(fā)明者及先進(jìn)射頻解決方案的先驅(qū)派更（peregrine）半導(dǎo)體公司宣布推出單片100瓦功率限幅器UltraCMOSpE45361。作為派更半導(dǎo)體公司功率限幅器系列產(chǎn)品的新一代成員，pE45361建立在備受好評(píng)的50瓦UltraCMOS功率限幅器取得極大成功的基礎(chǔ)之上，并添加了更高的脈沖功率處理能力、更低的限幅閾值及正向閾值控制功能。UltraCMOS功率限幅器提供了一種取代砷化鎵（GaAs）分立pIN結(jié)二極管功率限幅器的單片式方案，可保護(hù)設(shè)備不會(huì)受到過高RF功率、故意干擾及ESD事件的損害。pE45361能夠?yàn)闇y試與測量設(shè)備及無線基礎(chǔ)架構(gòu)收發(fā)器中的敏感低噪聲接收機(jī)提供可靠且可重復(fù)的功率保護(hù)。

派更半導(dǎo)體公司全球銷售副總裁ColinHunt表示：派更半導(dǎo)體的單片功率限幅器為我們的客戶提供了一種增強(qiáng)射頻功率保護(hù)的新奇而強(qiáng)大的方案。我們推出的pE45361基于我們UltraCMOS限幅器的關(guān)鍵射頻性能及物料清單（BOM）成本優(yōu)勢(shì)，并可提供100瓦功率處理能力，實(shí)現(xiàn)較低的限幅閾值，從而保護(hù)敏感的低噪聲放大器（LNA）。

與pIN結(jié)二極管功率限幅器相比，UltraCMOS功率限幅器的響應(yīng)時(shí)間和恢復(fù)時(shí)間方面加快了10倍，線性度（IIp3）改善了10~40dB，靜電放電（ESD）保護(hù)能力提高了20倍。此外，UltraCMOS功率限幅器占用的電路板空間通常也小于pIN結(jié)二極管功率限幅器。最后，UltraCMOS功率限幅器可通過低電流壓控管腳（VCTRL）調(diào)節(jié)限幅閾值，無需配置隔直電容、射頻扼流電感器及偏置電阻器等外接元件。

與其它UltraCMOS功率限幅器一樣，pE45361也設(shè)有兩種工作模式：功率限幅和功率反射，從而最大程度地提高性能與靈活性。用戶可通過可編程管腳VCTRL選擇模式。在功率限幅模式下，限幅器對(duì)負(fù)載不起作用。當(dāng)輸入射頻信號(hào)功率超過VCTRL設(shè)定的限幅閾值時(shí)，限幅器將限制輸入的射頻功率。在極端環(huán)境中使用功率反射模式時(shí)，限幅器將把大部分入射功率反射回功率源。

過針刺 低溫防爆18650 2200mah

符合Exic IIB T4 Gc防爆標(biāo)準(zhǔn)

充電溫度：0~45℃
-放電溫度：-40~+55℃
-40℃最大放電倍率：1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%

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產(chǎn)品特性、封裝、價(jià)格與供貨

pE45361功率限幅器覆蓋10MHz~6GHz頻段，可為高性能功率限幅應(yīng)用提供卓越的功率保護(hù)功能。該限幅器可處理高達(dá)50dBm或100瓦的大脈沖功率，可調(diào)限幅閾值為7dBm~13dBm，正向閾值控制為0伏至0.3伏。在6GHz時(shí)，pE45361的低插入損耗為0.95dB，高回波損耗為12dB。pE45361的快速響應(yīng)時(shí)間僅為0.6納秒，迅捷恢復(fù)時(shí)間為1納秒，線性度（IIp3）達(dá)37dBm。pE45361靜電放電功能極強(qiáng)，可達(dá)7kVHBM。

量產(chǎn)零件與評(píng)估工具現(xiàn)已上市。pE45361采用緊湊型12引腳3x3mmQFN封裝，訂購1萬片的價(jià)格為每片4.30美元。