鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量:746次 | 2021年12月20日
知道硅失效為更高容量鋰電池的研究開(kāi)辟了道路
在硅線鋰離子電池中,電解質(zhì)會(huì)剝離硅,這會(huì)阻礙電子通路并大大降低這些有前途的設(shè)備的充電能力。
新論文(自然納米技術(shù),“Progressivegrowthofthesolid–electrolyteinterphasetowardstheSianodeinteriorcausescapacityfading”)確定該過(guò)程開(kāi)辟了新的研究途徑,最終利用硅的巨大潛力徹底改變高容量、持久的從手機(jī)到汽車的各種電池。
洛斯阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室工作人員科學(xué)家、論文的通訊作者JinkyoungYoo說(shuō),有了這一新認(rèn)識(shí),我們建議通過(guò)開(kāi)發(fā)一種將硅與電解質(zhì)隔離的涂層方法來(lái)提高硅納米線鋰離子電池的性能。Yoo是綜合技術(shù)中心(CINT)的半導(dǎo)體納米材料種植者,該中心是洛斯阿拉莫斯和桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的能源部用戶設(shè)施。
在不銹鋼圓盤(pán)上生長(zhǎng)的硅納米線的照片(從左上角順時(shí)針)以側(cè)視圖、頂視圖和宏觀視圖顯示。磁盤(pán)大約有四分之一大小。NatureNanotech的新研究發(fā)現(xiàn)了限制硅在鋰離子電池中使用的過(guò)程,并確定了克服這些問(wèn)題的研究途徑。具有硅陽(yáng)極的電池的電存儲(chǔ)容量是具有典型石墨基陽(yáng)極的電池的10倍。(圖片:洛斯阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室)
該研究由來(lái)自一系列國(guó)家實(shí)驗(yàn)室和大學(xué)的合作者進(jìn)行,通過(guò)低溫掃描透射電子顯微鏡(一種先進(jìn)的分析算法)集成了敏感元素?cái)鄬訏呙瑁⒁?D方式揭示了硅的相關(guān)結(jié)構(gòu)和化學(xué)演化以及固體電解質(zhì)的相互作用。
充電溫度:0~45℃
-放電溫度:-40~+55℃
-40℃最大放電倍率:1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%
Yoo在不銹鋼圓盤(pán)上種植了一片硅納米線“森林”,作為電池實(shí)驗(yàn)的陽(yáng)極。洛斯阿拉莫斯的CINT設(shè)施具有獨(dú)特的能力,可以直接在陽(yáng)極上生長(zhǎng)這種硅線。
工業(yè)和國(guó)家實(shí)驗(yàn)室研究人員都認(rèn)為硅是下一代鋰離子電池實(shí)際應(yīng)用中最有前途的高容量負(fù)極材料。電池包括將電子帶入的陽(yáng)極和將電子移出以產(chǎn)生電流的陰極。
使用基于石墨的陽(yáng)極,鋰離子電池使手機(jī)和電動(dòng)汽車的續(xù)航里程超過(guò)400英里。使用硅陽(yáng)極開(kāi)發(fā)下一代,已知其存儲(chǔ)容量是石墨陽(yáng)極電池的10倍,一直受到反復(fù)充電后容量衰減的阻礙。
在100次充電/放電循環(huán)后,使用硅的電池只能管理其原始存儲(chǔ)容量的60%,對(duì)于日常技術(shù)來(lái)說(shuō)不夠好。
直到現(xiàn)在,沒(méi)有人知道確切的原因。
標(biāo)稱電壓:28.8V
標(biāo)稱容量:34.3Ah
電池尺寸:(92.75±0.5)* (211±0.3)* (281±0.3)mm
應(yīng)用領(lǐng)域:勘探測(cè)繪、無(wú)人設(shè)備
在早期的應(yīng)用中,當(dāng)硅球形顆粒暴露在電解質(zhì)中并充電時(shí),它們會(huì)膨脹300%并破壞陽(yáng)極。在所有類型的電池中,將陽(yáng)極暴露于電解質(zhì)的過(guò)程會(huì)產(chǎn)生形成SEI的反應(yīng)。SEI對(duì)于電池穩(wěn)定性至關(guān)重要,SEI對(duì)于電池中的電化學(xué)反應(yīng)至關(guān)重要,并且關(guān)鍵地控制著電池的穩(wěn)定性。
當(dāng)SEI與陽(yáng)極分離時(shí),就像它與硅一樣,電接觸斷開(kāi),電池容量下降。
我們?cè)?jīng)認(rèn)為納米線可以解決硅在電解質(zhì)中膨脹的問(wèn)題,因?yàn)橐桓€可以拉長(zhǎng),但結(jié)果我們不明白發(fā)生了什么,Yoo解釋說(shuō)。
Yoo說(shuō),新的研究發(fā)現(xiàn),電解質(zhì)會(huì)滲透到硅的各處,形成SEI口袋,破壞電子通路。這個(gè)過(guò)程斷開(kāi)了陽(yáng)極中無(wú)法增加電池容量的孤立硅島。Yoo說(shuō),下一個(gè)研究步驟是涂覆硅顆粒或納米線,以在電解質(zhì)存在的情況下保持硅的完整性。