5月7日，Cree,Inc.宣布，作為公司長期增長戰略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC碳化硅產能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化200mmSiC碳化硅生產工廠和一座材料超級工廠。

這項投資是公司迄今為止最大的投資，將為WolfspeedSiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業務提供動能。在2024年全部完工之后，這些工廠將極大增強公司SiC碳化硅材料性能和晶圓制造產能，使得寬禁帶半導體材料解決方案為汽車、通訊設施和工業市場帶來巨大技術轉變。

Cree首席執行官GreggLowe先生表示：“我們不斷地看到在汽車和通訊設施領域采用SiC碳化硅的優勢來驅動創新所產生的巨大效益。但是，現有的供應卻遠遠不能夠滿足我們對于SiC碳化硅的需求。今天，我們宣布了公司迄今在生產制造的最大投資，將大幅地提升供應，幫助客戶為市場提供變革性的產品和服務。這項在設備、基礎設施、公司人力方面的巨大投入，將為我們顯著擴大產能。與2017財年第一季度（也就是我們開始擴大產能的第一階段）相比較，能夠帶來SiC碳化硅晶圓制造產能的30倍增長和材料生產的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足WolfspeedSiC碳化硅材料和器件在未來5年乃至更長遠的預期增長。”

這項計劃將為業界領先的WolfspeedSiC碳化硅業務提供附加產能。通過增建現有的建筑設施，作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠，邁出滿足預期市場需求的第一步。新的NorthFab將被設計成能夠全面滿足汽車認證的工廠，其生產提供的晶圓表面積將會是今天現有的18倍，剛開始階段將進行150mm晶圓的生產。公司將把現有在達勒姆的生產和材料工廠轉變為一座材料超級工廠。

Cree首席執行官GreggLowe先生同時還表示：“這些SiC碳化硅制造超級工廠，將加速當今最快增長市場的創新。通過提供解決方案，幫助提高EV電動汽車的行駛里程并減少充電時間，同時支持5G網絡在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化硅和GaN氮化鎵技術和制造有史以來最大的資本投資，也是一種在財政上負責任的方式。通過采用現有工廠和安裝絕大部分的整新工具，我們相信我們可以實現提供最先進技術的200mmfab，并且成本大約僅為一座新fab的1/3。”

過針刺 低溫防爆18650 2200mah

符合Exic IIB T4 Gc防爆標準

充電溫度：0~45℃
-放電溫度：-40~+55℃
-40℃最大放電倍率：1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%

點擊詳情

擴大的園區將創造高科技就業機會，并提供先進制造人才發展計劃。Cree計劃與州、當地和四年制院校開展培訓項目，為新工廠所帶來的長期、高端就業和成長機遇提供人才儲備。LEDinside