說到EMC的整改問題，很多工程師都會有很刻記憶：有的工程師認(rèn)為不是自己設(shè)計(jì)的電路或自己布的pCB，那別人就對這個電源過EMC沒有更好的方法，還有的一些工程師對電源的IC的功能情有獨(dú)鐘，他們可以分析出很多的情況，認(rèn)為是這個IC的功能影響到了產(chǎn)品的EMC的指標(biāo)。從本人做EMC的整改相關(guān)經(jīng)驗(yàn)來看不能認(rèn)同這些朋友的意見。本人從事整改好幾年，經(jīng)手整改過的產(chǎn)品有電源、陸特種的逆變電源、工業(yè)電源，也有大功率的LED電源、音視頻產(chǎn)品，對這些產(chǎn)品的工作原理只大略了解，無論如何也比不上專職工程師，但相同可以把這些產(chǎn)品整改符合EMC的要求同時也讓各公司滿意。

最近幫一個公司整改了一個二十幾瓦的電源，本文結(jié)合測試的曲線描述整改的經(jīng)過。

先上一個測試不通過的曲線：

圖1傳導(dǎo)測試的曲線

圖2空間輻射的V方向曲線

圖3空間輻射的H方向的曲線

以上這個電源是一個25W左右的開關(guān)電源，電源的電路圖因?yàn)榭蛻粼虿环奖闵蟼鳎梢愿蠹蚁日f明一下，此電路用了一個0。1uF的X電容和一個30mH的共模電感。次級輸出加了一個50uH的工字電感。客戶整改要求整改方法要能量產(chǎn)。

拿到產(chǎn)品后首先看了一下這個產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒有接入熱地的。（也就是電源初級邊的電解電容的負(fù)極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。

我的整改方法，如下：

從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以新增共模電感到50mH,這項(xiàng)頻率超標(biāo)一般重要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面新增了一個屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時做了別外一個變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時將MOS管的D、S兩腳間新增了一個101/1KV的電容，做完以上的整改方法后做了一次測試。

圖4測試曲線

此圖為客戶原板上所用變壓器，我只在外面新增一個屏蔽層。測試可以通過不過余量很小只有1dB。顯然來能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。

圖5為空間輻射的曲線V方向雖然也能通過但余量也是很小。

圖6為H方向的曲線，可以看到100-120MHz段還有超標(biāo)的情況。

根據(jù)以上的情況我做了第二次修改，將變壓器更新成我前面提到過的改變了繞線方式的變壓器。用我的頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線不是有點(diǎn)高，并且成有規(guī)律的波形，如圖7：

于是用頻譜分別對MOS管的G、D、S三個腳接觸看一下是哪個腳是輻射源，發(fā)現(xiàn)D極的輻射源最大。

于是我在D極上串了一個通用的插件磁珠。（￠3.5*8）再看MOS管的頻譜曲線如圖8:

大家可以看到此時MOS管的輻射明顯減小而且更平穩(wěn)了一些.于是第二次做了測試.結(jié)果如下:

從圖9可以看到此時的傳導(dǎo)已經(jīng)非常的好,余量最小的為8.6dB.

圖10為V方向空間輻射曲線最小余量為8.3dB.

圖11為H方向的曲線余量更大。

經(jīng)過兩次的修改該產(chǎn)品順利的符合了客戶要求的標(biāo)準(zhǔn)測試。最終的整改方法為：

1．將MOS管，雙向二極管的散熱片面接入電源的熱地。

2．將X電容改為0.22uF。

3．將共模電感改為50mH.

4．在MOS管的D線電路的正面串入一個插件的磁珠。去消在D、S間并接的101電容。

5．將變壓器的繞線方式改變了一下，取消內(nèi)部的屏蔽，而在外部加了一個屏蔽層。并接入熱地。

小結(jié)：其實(shí)EMC的整改重要是電源的整改因?yàn)槿魏萎a(chǎn)品都要有電源來供電，此處沒有處理好一定會影響到其它的地方。不論是什么產(chǎn)品它的輻射或傳導(dǎo)重要有這個產(chǎn)品內(nèi)部的敏感元器件造成的。關(guān)于電源產(chǎn)品重要有的敏感元器件就是變壓器、MOS管、二極管。所以只要解決好這三個方面的協(xié)調(diào)問題EMC就不難搞定。而解決EMC的方法概括來說就是：消除干擾源、切除干優(yōu)傳導(dǎo)的途徑、疏導(dǎo)干擾源。