IGBT剛出現時，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長一段時間內，耐壓水平限于1200V～1700V，經過長時間的探索研究和改進，現在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基于穿通（pT）型結構應用新技術制造的IGBT，可工作于150kHz（硬開關）和300kHz（軟開關）。

其共同點是，二者集成的對象都是電子電路。因此，集成電路中的許多技術都為電力電子集成技術所借鑒。例如，單片電力電子集成技術就和集成電路十分相似。起源于集成電路封裝技術的多芯片模塊（MultiChipModule-MCM）技術就對電力電子集成技術有很大的借鑒意義。共同點重要是：信息電力技術特別容易在單個芯片上實現，甚至出了片上系統（SystemonChip-SOC）的概念和技術。而在電力電子集成中，單片集成就要困難很多。因為電力電子中主電路通常電壓較高、功率較大、發熱嚴重、電磁干擾也嚴重，而控制電路通常電壓較低、本身功耗不大也難于承受高壓，抗電磁干擾性能也較弱。因此，電壓隔離、熱隔離、抗電磁干擾就成為電力電子集成技術的三大問題。

碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優點是：禁帶寬、工作溫度高（可達600℃）、熱穩定性好、通態電阻小、導熱性能好、漏電流極小、pN結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體器件。